我們先來(lái)講講電感品質(zhì)因數(shù)Q的定義：Q值是衡量電感器件的重點(diǎn)參數(shù)，是指電感器在某個(gè)頻率的交流電壓下工作時(shí),所展現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高,其損耗越小,效率越高。品質(zhì)因數(shù)Q是反映線(xiàn)圈質(zhì)量的重要參數(shù)，提高線(xiàn)圈的Q值，可以說(shuō)是繞制線(xiàn)圈要注意的重點(diǎn)之一。那么，該怎樣提高繞制線(xiàn)圈的Q值呢，下面晶磁的科技人員給大家介紹一下，詳情請(qǐng)見(jiàn)下文：

1、采用磁芯可使線(xiàn)圈圈數(shù)明顯減少

　　線(xiàn)圈中采用磁芯，不但減少了線(xiàn)圈的圈數(shù)，也減小線(xiàn)圈的電阻值，更加有利于Q值的提高，而且縮小了線(xiàn)圈的體積。

2、選用優(yōu)質(zhì)的線(xiàn)圈骨架，減少介質(zhì)損耗

　　在頻率較高的場(chǎng)合，如短波波段，因?yàn)槠胀ǖ木€(xiàn)圈骨架，質(zhì)損耗明顯增加，因此，理應(yīng)采用高頻介質(zhì)材料，比如高頻瓷、聚四氟乙烯、聚苯乙烯等作為骨架，并使用間繞法繞制。

3、線(xiàn)圈直徑適當(dāng)選大些

　　線(xiàn)圈直徑適當(dāng)選大些，有利于減小損耗、在必要的條件下，線(xiàn)圈直徑選得大一些，體積增大一些，更加有利于減小線(xiàn)圈的損耗！一般接收機(jī)，單層線(xiàn)圈直徑取12mm－30mm；多層線(xiàn)圈取6mm－13mm，但從體積考慮，也不宜超過(guò)20mm－25mm的范圍。

4、選定合理屏蔽罩的直徑

　　用屏蔽罩，則會(huì)增加線(xiàn)圈的損耗，使Q值降低，因此屏蔽罩的尺寸不適合過(guò)小。然而屏蔽罩的尺寸過(guò)大，會(huì)增大體積，因而要選取合理屏蔽罩的直徑尺寸。當(dāng)屏蔽罩直徑Ds與線(xiàn)圈直徑 D之比滿(mǎn)足如下數(shù)值即 Ds／D＝1.6－2.5時(shí)，Q值降低不大于10％。

5、選擇合理的線(xiàn)圈尺寸

　　當(dāng)我們選用合理的線(xiàn)圈尺寸，能減少損耗外徑一定的單層線(xiàn)圈（φ20mm-30mm），當(dāng)繞組長(zhǎng)度 L與外徑 D的比值 L/D=0.7時(shí)，將其損耗降到最??；外徑一定的多層線(xiàn)圈L/ D＝0.2－0.5，用t/D＝0.25－0.1時(shí)，損耗也會(huì)變到最小。繞組厚度t、繞組長(zhǎng)度L和外徑D之間滿(mǎn)足3t＋2L＝D的情況下，損耗同為最小。采用屏蔽罩的線(xiàn)圈，其L／D＝0.8－1.2時(shí)最佳用法。

6、減小繞制線(xiàn)圈的分布電容

　　盡量選用無(wú)骨架方式繞制線(xiàn)圈，或者繞制在凸筋式骨架上的線(xiàn)圈，能有效減小分布電容15％－20％；分段繞法能減小多層線(xiàn)圈的分布電容的1/3～l/2。對(duì)于多層線(xiàn)圈來(lái)講，直徑D越小，繞組長(zhǎng)度L越小或繞組厚度t越大，則分布電容越小。應(yīng)當(dāng)指出的是：經(jīng)過(guò)漫漬和封涂后的線(xiàn)圈，其分布電容即將增大20％－30％。

7、如何根據(jù)工作頻率，選用線(xiàn)圈的導(dǎo)線(xiàn)

　　工作于低頻段的電感線(xiàn)圈，一般采用漆包線(xiàn)等帶絕緣的導(dǎo)線(xiàn)繞制。另當(dāng)工作頻率大于幾萬(wàn)赫，從而低于2MHz的電路中，采用多股絕緣的導(dǎo)線(xiàn)繞制線(xiàn)圈，這樣一來(lái)，則可以有效地增加導(dǎo)體的表面積，從而可以克服集膚效應(yīng)的影響，使得Q值比相同截面積的單根導(dǎo)線(xiàn)繞制的線(xiàn)圈高30％－50％。在頻率高于2MHz的電路中，電感線(xiàn)圈應(yīng)采用單根粗導(dǎo)線(xiàn)繞制，導(dǎo)線(xiàn)的直徑一般為0.3mm－1.5mm。采用間繞的電感線(xiàn)圈，常用鍍銀銅線(xiàn)繞制，以增加導(dǎo)線(xiàn)表面的導(dǎo)電性。此時(shí)、不適合采用多股導(dǎo)線(xiàn)繞制，因?yàn)槎喙山^緣線(xiàn)在頻率在過(guò)高的時(shí)候，線(xiàn)圈絕緣介質(zhì)將引起額外的損耗，效果反而不如單根導(dǎo)線(xiàn)好。

　　總之，繞制線(xiàn)圈，始終把提高Q值，降低損耗，作為考慮的重要元素。